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IPU60R2K1CEBKMA1 发布时间 时间:2025/7/1 4:51:44 查看 阅读:8

IPU60R2K1CEBKMA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率MOSFET芯片,采用TOLL封装形式。该芯片主要用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动、太阳能逆变器等场景。它属于OptiMOS系列,具备低导通电阻和高效率的特点,同时优化了热性能和电气性能,使其在紧凑型设计中表现优异。
  这款器件支持高达650V的耐压能力,并且其内部集成了快速恢复二极管,能够有效降低开关损耗,提高整体系统的效率。

参数

额定电压:650V
  导通电阻:2.0mΩ
  连续漏极电流:130A
  封装形式:TOLL
  工作结温范围:-55℃至175℃
  栅极电荷:94nC
  反向恢复时间:80ns

特性

IPU60R2K1CEBKMA1具有以下显著特点:
  1. 高效的导通性能:得益于2.0mΩ的超低导通电阻,大幅降低了传导损耗,尤其适合大电流应用场景。
  2. 集成快速恢复体二极管:优化的反向恢复特性使开关过程中的能量损失最小化,从而提升系统效率。
  3. 强大的散热能力:TOLL封装提供卓越的热管理功能,允许更高的电流密度并简化PCB布局。
  4. 高可靠性:通过严格的测试流程确保器件在极端温度条件下的稳定性和耐用性。
  5. 广泛的工作温度范围:支持从-55℃到175℃的结温区间,适应多种恶劣环境。

应用

该芯片广泛应用于需要高效功率转换和处理大电流的领域,包括但不限于:
  1. 数据中心及服务器电源供应单元(PSU)。
  2. 太阳能逆变器中的高频开关组件。
  3. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV)的牵引逆变器。
  4. 工业设备中的电机驱动控制电路。
  5. 电信基础设施中的整流模块。

替代型号

IPU60R1K9CEBGA1, IPU60R0K9CEBKA1

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IPU60R2K1CEBKMA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列CoolMOS? CE
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.1 欧姆 @ 760mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 60μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)140 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)22W(Tc)
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO251-3
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA