时间：2025/7/29 18:49:05
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IPTG011N08NM5 是英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，属于OptiMOS?系列。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和工业自动化系统中。IPTG011N08NM5 采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合高频开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
漏极电流（Id）@25°C：100A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：1.1mΩ
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：PG-HSOF-8
IPTG011N08NM5 采用英飞凌先进的OptiMOS?技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，提高了系统效率。其1.1mΩ的Rds(on)值使其在高电流条件下仍能保持较低的功耗，适用于需要高效率的电源设计。此外，该MOSFET具备良好的热管理能力，封装设计优化了散热性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。
IPTG011N08NM5 还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力条件下的可靠性。其高速开关特性适用于高频DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及各种电源管理系统。此外，该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
该MOSFET广泛应用于各类高功率电子系统，如服务器电源、电信设备、工业电机控制、电池管理系统（BMS）、汽车电子（如车载充电器OBC和DC-DC转换器）以及太阳能逆变器等。其高效、高可靠性的特点使其成为现代高性能电源设计中的理想选择。
IPB011N08NM5, IPW011N08NM5, BSC011N08NM5, IPT011N08NM5
