时间：2025/8/11 18:54:47
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IPT60R090CFD7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能碳化硅（SiC）功率MOSFET晶体管，采用CoolMOS?技术，适用于高效率、高频电源转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电动汽车（EV）充电器、太阳能逆变器、服务器电源和工业电源系统等领域。
类型：功率MOSFET
技术：CoolMOS? SiC
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ
栅极电荷（Qg）：73nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
极性：N沟道
配置：单管
封装尺寸：TO-247-3
IPT60R090CFD7 是一款基于碳化硅（SiC）技术的高性能功率MOSFET，具备出色的导通和开关性能。其导通电阻仅为90mΩ，在高电流条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的漏源耐压为600V，额定漏极电流为40A，适用于中高功率电源应用。
其栅极电荷（Qg）为73nC，确保了快速开关能力，从而降低开关损耗，适用于高频工作环境。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和较低的热阻，能够在高温环境下保持稳定运行，提升系统可靠性。
该器件采用TO-247封装，便于散热并适用于多种功率模块设计。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应工业级温度要求。IPT60R090CFD7还集成了快速恢复二极管（FD），优化了反向恢复性能，减少了开关过程中的能量损耗，特别适用于硬开关和软开关拓扑结构，如LLC谐振变换器、PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器。
由于其优异的材料特性，SiC MOSFET在高频和高效率应用中表现优于传统硅基MOSFET，能够有效减少系统尺寸和重量，提升整体能效。这使得IPT60R090CFD7在电动汽车充电器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）和服务器电源等应用中具有显著优势。
IPT60R090CFD7 主要应用于需要高效能、高频率和高可靠性的电力电子系统。例如，在电动汽车的车载充电器（OBC）中，该器件可以提升充电效率并减少发热；在光伏逆变器中，可用于构建高效率的DC-AC转换电路，提高能源利用率；在服务器和通信设备的电源系统中，其高频特性可支持更紧凑的电源设计，提升功率密度；此外，该MOSFET也适用于各种工业电源、电机驱动器、UPS系统以及电池管理系统（BMS）中的功率转换模块。
SiC MOSFET替代型号包括：C3M0065090D（Wolfspeed）、SCT3040KL（ROHM）、IPW60R090CFD7（Infineon同系列产品）、GSi6100P（GenSiC）等。
