时间：2025/5/13 17:26:56
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IPT60R050G7是Infineon（英飞凌）推出的一款采用TRENCHSTOP?技术的MOSFET芯片。该器件主要应用于高频开关电源、电机驱动、逆变器和DC-DC转换器等场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频应用中实现高效率和低损耗。
这款芯片属于IGBT模块系列中的功率MOSFET类别，采用了TO-247封装形式，能够适应较高的电流和电压需求。其设计使得在高温条件下仍能保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：600V
导通电阻（典型值）：50mΩ
连续漏极电流：18A
栅极电荷：10nC
总电容：1300pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IPT60R050G7使用了先进的TRENCHSTOP?技术以降低导通电阻并提高整体效率。
其具备以下优势：
- 极低的导通电阻（50mΩ），减少了传导损耗，从而提升系统效率。
- 快速开关速度和较低的栅极电荷使其非常适合高频应用场景。
- 高度可靠的热稳定性，即使在恶劣的工作环境下也能保持出色的性能。
- TO-247封装便于散热，适合高功率密度的应用场合。
- 符合RoHS标准，环保无铅工艺制造。
IPT60R050G7广泛用于需要高效率和高性能的电力电子领域，包括但不限于以下应用：
- 开关模式电源(SMPS)
- 太阳能逆变器
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备
- 电动汽车充电桩
- DC-DC转换器
由于其高压特性和良好的开关性能，该器件特别适用于需要高可靠性和高效能量转换的工业及汽车级应用。
IPT60R098N7, IPT60R140CP, IRFB4110TRPBF
