时间：2025/5/9 18:02:47
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IPT054N15N5是一款由Infineon（英飞凌）公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装，适用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动以及各种功率控制应用。其额定电压为150V，连续漏极电流高达5.4A，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
该MOSFET设计用于高效能的功率转换系统，支持高频操作，并且具备良好的热稳定性和耐用性，能够满足工业级和消费级电子产品的严苛要求。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻：0.18Ω
总栅极电荷：25nC
输入电容：1050pF
工作温度范围：-55℃至175℃
IPT054N15N5拥有低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。此外，它具备快速开关能力，能够降低开关损耗，在高频应用中表现出色。器件的高雪崩能量能力增强了其在异常条件下的鲁棒性。
该MOSFET采用了先进的芯片技术，确保了较低的热阻和出色的散热性能。同时，其坚固的设计使其能够承受恶劣的工作环境，包括高温和瞬态电压冲击。
另外，IPT054N15N5的封装形式为TO-263（D2PAK），这种封装不仅提供了较大的散热面积，还便于PCB布局和安装，非常适合表面贴装工艺。
IPT054N15N5广泛应用于开关电源适配器、AC/DC和DC/DC转换器、电机驱动控制器、电磁阀驱动以及太阳能逆变器等场景。
在开关电源领域，该MOSFET可以用作主开关管或同步整流管，以实现高效的能量转换。对于电机驱动应用，它可以提供精确的电流控制，从而改善系统的动态响应和稳定性。此外，由于其高耐压和大电流承载能力，也适用于工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
IPT060N15N5
IPT054N15N4G
IRFZ44N
STP55NF06
