IPT017N10NF2S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。该器件主要针对高效率开关应用设计,具有较低的导通电阻和优化的开关性能。它适用于各种工业、汽车和消费电子领域中的电源管理解决方案。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:38A
导通电阻(典型值):1.7mΩ
栅极电荷(典型值):95nC
反向恢复时间:40ns
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
IPT017N10NF2S 具有低导通电阻和优化的开关特性,从而可以显著降低传导损耗和开关损耗。
其封装形式为 TOLL,能够提供更好的散热性能和电气连接能力。
此外,该器件还具备出色的雪崩能力和抗静电性能,可确保在恶劣环境下的可靠运行。
通过先进的制造工艺,IPT017N10NF2S 在高频应用中表现出优异的效率和稳定性。
IPT017N10NF2S 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
它也适合于汽车电子系统,例如电动助力转向、空调压缩机控制和车载充电器等。
此外,在消费类电子产品中,如笔记本电脑适配器和平板电视电源,这款 MOSFET 同样表现优异。
IPT016N10NF2S
IPT018N10NF2S
IRLB8748PBF