时间：2025/5/9 9:43:40
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IPT017N10NF2S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装。该器件主要针对高效率开关应用设计，具有较低的导通电阻和优化的开关性能。它适用于各种工业、汽车和消费电子领域中的电源管理解决方案。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷（典型值）：95nC
反向恢复时间：40ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
IPT017N10NF2S 具有低导通电阻和优化的开关特性，从而可以显著降低传导损耗和开关损耗。
其封装形式为 TOLL，能够提供更好的散热性能和电气连接能力。
此外，该器件还具备出色的雪崩能力和抗静电性能，可确保在恶劣环境下的可靠运行。
通过先进的制造工艺，IPT017N10NF2S 在高频应用中表现出优异的效率和稳定性。
IPT017N10NF2S 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。
它也适合于汽车电子系统，例如电动助力转向、空调压缩机控制和车载充电器等。
此外，在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器和平板电视电源，这款 MOSFET 同样表现优异。
IPT016N10NF2S
IPT018N10NF2S
IRLB8748PBF
