FDS8960C 时间：2025/5/22 0:09:54 阅读：14

FDS8960C是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换和开关性能的场景。该器件采用了先进的制程技术，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他功率管理应用。
　　该MOSFET的主要特点是其优化的电气性能，能够在高频工作条件下保持高效的功率传输，并且具备出色的热稳定性和可靠性，从而能够满足现代电子设备对高性能和高可靠性的要求。

参数

型号：FDS8960C
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：60V
　　最大栅源电压(V_GS)：±20V
　　连续漏极电流(I_D)：13A
　　导通电阻(R_DS(on))：4.5mΩ@V_GS=10V
　　总栅极电荷(Q_g)：17nC
　　输入电容(C_iss)：890pF
　　输出电容(C_oss)：140pF
　　反向传输电容(C_rss)：120pF
　　结温范围(T_j)：-55℃至+150℃

特性

FDS8960C拥有卓越的性能特点，包括：
　　1. 极低的导通电阻(R_DS(on))，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，归功于其较小的总栅极电荷(Q_g)，适用于高频应用。
　　3. 高额定电流能力，支持大功率负载。
　　4. 强大的热性能，确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　5. 小尺寸封装选项，便于电路板布局设计。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
　　FDS8960C通过结合上述特性，为工程师提供了高性价比的解决方案，适用于多种功率转换应用场景。

应用

FDS8960C因其优异的性能被广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关，用于提升效率和降低热量。
　　3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关，实现精确控制和保护功能。
　　4. 电机驱动电路中的功率级元件，支持高效电机控制。
　　5. 各类消费类电子产品中的功率管理模块，例如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等。
　　6. 工业自动化设备中的功率转换和控制电路。
　　凭借其广泛的适用性，FDS8960C成为许多功率应用的理想选择。