时间：2025/6/20 20:14:06
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SQCSVA0R6BAT1A 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高效功率转换应用设计。该器件采用先进的封装技术，提供卓越的开关性能和低导通电阻。它适用于要求高效率、高频率和小尺寸解决方案的应用场景。
型号：SQCSVA0R6BAT1A
导通电阻（典型值）：6 mΩ
额定漏源电压：650 V
连续漏极电流：24 A
栅极电荷（Qg）：90 nC
反向恢复电荷（Qrr）：35 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
SQCSVA0R6BAT1A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻和栅极电荷，能够实现高效的功率转换。
2. 高速开关性能，支持高频操作，减少磁性元件体积。
3. 内置反并联二极管，优化了硬开关应用中的性能。
4. 良好的热性能，适应高温工作环境。
5. 强大的抗雪崩能力和鲁棒性，确保在极端条件下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际规范要求。
SQCSVA0R6BAT1A 广泛应用于各种高性能功率转换领域，包括但不限于：
1. 服务器和通信电源系统中的 DC-DC 转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统的功率级模块。
3. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC)。
4. 工业电机驱动和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高频谐振转换器和无线充电设备。
6. 消费类快充适配器和其他紧凑型电源解决方案。
SQJSVA0R6BCT1A
SQDSVB0R6BHT1A
SQCSVA0R6BBT1A
