时间：2025/5/12 17:19:07
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IPT015N10N5ATMA1 是一款 N 沱道增强型功率 MOSFET，采用 Trench 技术制造。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点，适合用于各种高效能的开关应用中。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块以及负载开关等领域。
其封装形式为 TO-263（DPAK），能够有效地散热并提供稳定的性能表现。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷（典型值）：27nC
输入电容：1390pF
总热阻（结到环境）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IPT015N10N5ATMA1 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，可以降低开关损耗，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设计需求。
5. 紧凑的 DPAK 封装设计，便于 PCB 布局与安装，同时具备良好的散热性能。
IPT015N10N5ATMA1 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 各种电机驱动电路，例如步进电机或无刷直流电机控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统，如车身控制模块、照明系统和辅助驱动等。
6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
IPT016N10N5ATMA1, IPT017N10N5ATMA1
