时间：2025/6/14 8:51:36
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IPT007N06N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于多种高效率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡。其封装形式为 TO-220，适合于需要高效散热的场景。
这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷：19nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
IPT007N06N 具有低导通电阻的特点，从而减少了传导损耗并提高了整体效率。同时，其优化的栅极电荷设计使得开关损耗也保持在较低水平。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够适应恶劣的工作环境。
该 MOSFET 的快速开关能力使其非常适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和逆变器等。同时，其 TO-220 封装提供了优异的散热性能，确保在高电流负载下的稳定运行。
IPT007N06N 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 工业自动化设备
4. 电池充电管理系统
5. 逆变器及 UPS 系统
6. 各类负载切换电路
IRFZ44N
STP70NF06
FDP007AN
