时间：2025/8/6 5:30:23
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IXTA36N30P TRL 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用中。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力以及良好的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及各种开关电源应用。TRL 表示该器件采用卷带和卷筒包装（Tape and Reel），适用于自动化表面贴装工艺。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：300V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：36A
导通电阻 Rds(on)：最大 65mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB（全包封）
晶体管配置：单个
IXTA36N30P TRL MOSFET 具有出色的导通和开关性能，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠运行。
该 MOSFET 的封装设计优化了热管理，TO-220AB 封装具有良好的散热性能，适合用于需要高功率密度的电路设计。由于其耐压能力强（Vds=300V），IXTA36N30P TRL 可以在中高压功率转换系统中作为主开关元件使用。
该器件还具备良好的抗雪崩击穿能力，确保在极端负载条件下也能安全运行。其栅极驱动要求较低，适合与常见的 PWM 控制器配合使用，简化了驱动电路的设计。TRL 包装方式支持自动化生产，适用于大规模制造环境。
IXTA36N30P TRL 主要应用于中高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器、工业自动化设备以及各种需要高效率功率开关的场合。由于其出色的导通性能和热稳定性，该器件也非常适合用于高频开关应用和需要高可靠性的工业控制系统。此外，它也可用于家用电器中的功率调节模块，如变频空调、电热水器和智能电表等。
STP36NF06L, FDP36N30, IRF36N30, IXTA36N30P-TRL
