时间：2025/5/20 19:05:21
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IPP90N06S4L-04 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沱道 MOSFET 芯片。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
该型号中的具体参数表明其最大漏源电压为 60V，持续漏极电流可达 90A，适用于工业级应用环境。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：90A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷（典型值）：35nC
总电容（输入电容）：1540pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IPP90N06S4L-04 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力，能够支持大功率应用场景。
3. 优化的开关性能，通过降低栅极电荷来减少开关损耗。
4. 采用 TRENCHSTOP? IGBT 技术，确保更高效的热管理和更高的可靠性。
5. 工作温度范围宽广，适合在极端环境下运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
IPP90N06S4L-04 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的高效功率转换。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 新能源汽车相关应用，如车载充电器和电池管理系统。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节单元。
6. 各类工业及消费类电子产品的高性能功率处理需求。
L-04
IPP75N06S4L-04
IPP90R07S4L-04
