时间：2025/4/29 15:45:08
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IPP80N06S4L-05 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-252(DPAK)，适合表面贴装工艺。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：23nC
总功耗：2.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252(DPAK)
IPP80N06S4L-05 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 较小的栅极电荷（Qg），可实现快速开关操作，降低开关损耗。
3. 先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了性能和可靠性。
4. 高雪崩能力，增强了器件在过载条件下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造需求。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产和紧凑型设计。
这些特性使 IPP80N06S4L-05 成为高效功率转换的理想选择，尤其适用于需要高频率和低损耗的应用场景。
IPP80N06S4L-05 广泛用于以下应用领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
5. 工业控制和消费类电子设备中的各种功率管理功能。
由于其出色的电气特性和封装优势，IPP80N06S4L-05 在需要高效能、高可靠性的功率应用中表现出色。
IPP80N06S4L-08, IPP80N06S4
