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STW24NM60N 发布时间 时间:2025/7/22 5:41:13 查看 阅读:11

STW24NM60N是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET的额定电压为600V,最大电流可达24A,能够支持高功率开关和转换操作。其设计基于先进的平面条纹和单元技术,提供了优异的导通和开关性能。STW24NM60N常用于电源转换器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):24A
  导通电阻(Rds(on)):约0.22Ω(典型值)
  最大功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

STW24NM60N具有多个关键特性,使其适用于各种高功率应用。首先,其高耐压能力(600V)使其能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换系统。其次,该MOSFET的导通电阻较低(典型值为0.22Ω),能够减少导通损耗并提高能效。此外,该器件的最大漏极电流为24A,支持高电流负载操作。
  在封装方面,STW24NM60N采用TO-247封装形式,具备良好的散热性能,有助于提高器件在高功率工作时的稳定性和可靠性。其最大功耗为125W,能够在高温环境下运行。
  该MOSFET的开关性能也十分优异,具有快速的导通和关断时间,从而降低了开关损耗。这使得它非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。此外,其工作温度范围较宽(-55°C至150°C),适用于各种严苛的环境条件。
  器件内部采用了先进的平面条纹技术,增强了电流的均匀分布,减少了热点的产生。这种设计提高了器件的耐用性和稳定性,使其在高负载条件下也能可靠运行。

应用

STW24NM60N广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域,它常用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,能够高效地转换和调节电压。此外,它还适用于DC-DC转换器、AC-DC转换器以及UPS(不间断电源)系统。
  在工业自动化和电机控制方面,该MOSFET可用于驱动直流电机和步进电机,提供高效的功率控制。由于其高电流和高电压能力,也适合用于变频器和伺服驱动器中的功率级。
  在照明系统中,STW24NM60N可用于高效电子镇流器和LED驱动电路,支持高亮度LED的稳定运行。同时,该器件也适用于电焊机、感应加热设备和其他高功率电子设备中的功率开关应用。

替代型号

STW20NM60ND, STW25NM60ND, STW24NM60VD

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STW24NM60N参数

  • 其它有关文件STW24NM60N View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 50V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件
  • 其它名称497-12705-5STW24NM60N-ND