时间：2025/6/24 15:55:15
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IPP80N04S4L-04 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的 N 沃型功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。该器件属于 OptiMOS 系列，具有低导通电阻和高开关效率的特性，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
这款 MOSFET 的设计旨在减少功率损耗并提高系统效率，其优化的性能使其在消费电子、工业控制以及通信电源等领域有广泛应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：69nC
开关速度：快速
封装形式：SuperSO8
IPP80N04S4L-04 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 25°C 下仅为 1.2mΩ，可有效降低传导损耗。
2. 较低的栅极电荷 (Qg)，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强器件的鲁棒性以应对过压状况。
4. 采用 SuperSO8 封装，具备良好的散热性能及紧凑的设计，适合高密度应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合无铅焊接工艺。
这些特性使得 IPP80N04S4L-04 在各种需要高效能功率管理的应用中表现出色。
IPP80N04S4L-04 被广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)：如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动：用于工业自动化设备中的直流电机和步进电机控制。
3. 逆变器：光伏逆变器和其他能量转换系统。
4. OR-ing 应用：冗余电源系统中的二极管功能替代。
5. 各类负载切换和保护电路：如服务器和通信设备中的负载开关。
由于其高性能和可靠性，IPP80N04S4L-04 成为许多功率敏感型应用的理想选择。
IPP80N04S4L-08, IPP80N04S4L-12
