时间：2025/7/10 12:14:12
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IPP80N04S2-H4是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263-3封装形式。该器件专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。这款MOSFET适用于各种工业和消费类电子产品中的电源管理和电机驱动场景。
IPP80N04S2-H4的额定电压为40V，额定电流为80A（在特定条件下）。它通过优化的芯片设计实现了卓越的热性能和电气性能，使其成为高性能功率转换应用的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：7.5nC
输入电容：1980pF
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263-3
IPP80N04S2-H4采用了先进的TRENCHSTOP?技术，具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，可有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的可靠运行。
4. 优异的热性能，有助于改善散热表现。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 宽广的工作温度范围，适应多种环境需求。
这些特性使得IPP80N04S2-H4非常适合用于要求高效能和高可靠性的应用场景。
IPP80N04S2-H4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理电路。
6. 汽车电子中的负载切换和电源分配。
由于其出色的性能，IPP80N04S2-H4在需要高效功率转换和精确控制的应用中表现出色。
IPP80N04S3
IPP80N04S3L
IPP80N04S4
