时间：2025/5/20 18:17:58
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IPP65R110CFDA是英飞凌（Infineon）公司推出的一款MOSFET功率晶体管，采用TRENCHSTOP? IGBT技术。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和高效率的特点。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。该芯片的封装形式为TO-Leadless（TOLL），有助于提高热性能和电气性能。
型号：IPP65R110CFDA
类型：N-Channel MOSFET
额定电压：650V
额定电流：40A
导通电阻：110mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
最大功耗：320W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装：TO-Leadless (TOLL)
栅极电荷：42nC（典型值）
反向恢复时间：30ns（典型值）
IPP65R110CFDA采用了先进的沟槽式结构，具备较低的导通电阻，从而减少了传导损耗。同时，它具有快速的开关速度，能够在高频条件下实现高效的能量转换。
该器件具有优异的热性能，能够承受较高的结温，适合在恶劣环境下运行。此外，其TO-Leadless封装不仅提高了散热能力，还增强了电磁兼容性（EMC）。
该芯片支持零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）技术，非常适合于硬开关和软开关拓扑。其坚固的设计使其能够抵抗雪崩和过载情况，进一步提高了系统的可靠性。
与传统MOSFET相比，IPP65R110CFDA优化了动态性能，降低了开关损耗，并且通过减小寄生电感提升了整体效率。
IPP65R110CFDA广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 逆变器
3. DC-DC转换器
4. 电机驱动
5. 太阳能微型逆变器
6. 电动汽车充电桩
由于其高效能和高频操作能力，该器件特别适合需要高性能功率管理的应用场景。
IPP65R140CPD
IPP65R190CE
IPP65R190CP
