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IPP60R190C6 发布时间 时间:2025/5/21 21:46:28 查看 阅读:2

IPP60R190C6是英飞凌(Infineon)推出的MOSFET功率晶体管,属于OptiMOS系列。该器件采用TO-247封装形式,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。其设计旨在降低传导损耗并提高系统整体能效。

参数

最大漏源电压:600V
  导通电阻:190mΩ
  连续漏极电流:18A
  栅极电荷:85nC
  总热阻(结到壳):0.83°C/W
  工作结温范围:-55°C至175°C

特性

IPP60R190C6的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗,快速开关速度从而降低开关损耗,具备良好的雪崩能力以确保在异常情况下的可靠性。此外,该器件还具有出色的热稳定性和低输出电容,有助于提高系统的效率和性能。
  此器件的OptiMOS技术提供了增强的鲁棒性,在硬开关条件下表现出色,并且其优化的寄生参数使得在高频应用中表现优异。同时,它也支持较高的结温,适应更广泛的工作环境。

应用

IPP60R190C6适用于多种工业和消费电子领域的应用,包括但不限于太阳能逆变器中的功率转换、不间断电源(UPS)、电动工具的电机控制、以及各类开关模式电源(SMPS)的设计。由于其高耐压和低导通电阻特性,特别适合需要高效能量转换和可靠运行的应用场景。

替代型号

IPP60R195P6
  IPP60R190P6

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IPP60R190C6参数

  • 数据列表IPx60R190C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 630µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 100V
  • 功率 - 最大34W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000621158