MRF281Z 时间：2025/9/4 1:35:52 阅读：13

MRF281Z是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），专为射频（RF）功率放大应用设计。这款MOSFET能够在高频范围内工作，适用于广播、工业和通信设备中的射频功率放大器。MRF281Z具有高增益、低失真和良好的热稳定性的特点，使其成为高性能射频系统的理想选择。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：65V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：1.5A
　　最大功耗（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　频率范围：DC至1GHz
　　输出功率：25W
　　增益：18dB
　　漏极效率：65%

特性

MRF281Z具备多项优异的电气和机械特性，确保其在各种射频功率放大应用中的稳定性和可靠性。首先，其高漏源电压（65V）和高栅源电压（±30V）使其能够在较宽的电压范围内工作，同时具备良好的抗过压能力。其次，MRF281Z的高输出功率（25W）和高增益（18dB）特性使其在高频应用中表现出色，能够有效放大射频信号而不失真。此外，该器件具有较高的漏极效率（65%），有助于降低功耗并减少热量产生，从而提高整体系统的能效。
　　在封装方面，MRF281Z采用TO-220AB封装形式，这种封装结构紧凑，便于安装和散热，并且与常见的射频电路设计兼容。该器件还具备良好的热稳定性，能够在-65°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适合在极端环境条件下使用。此外，MRF281Z的低失真特性使其适用于高保真射频放大器，例如在广播发射机、工业加热设备和通信系统中。

应用

MRF281Z广泛应用于射频功率放大器的设计中，尤其适合广播发射机、业余无线电设备、无线通信系统和工业射频加热装置。其高功率输出和良好的线性度使其成为AM、FM、TV广播发射机前级和末级放大电路的理想选择。此外，该MOSFET也常用于UHF和VHF频段的通信设备，如基站、中继器和移动通信测试设备中的射频放大模块。由于其良好的热稳定性和高可靠性，MRF281Z也被广泛应用于需要长时间连续工作的工业和科研领域。