时间：2025/8/13 18:11:42
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IPP60R105CFD7是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET器件。该器件属于CoolMOS?系列，采用先进的超结（Super Junction）技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，适用于高效率、高频率的电源转换应用。该MOSFET的漏源电压（VDS）为600V，连续漏极电流（ID）可达30A，适合用于服务器电源、电信电源、工业电源和LED照明等应用。
VDS（漏源电压）: 600V
ID（连续漏极电流）: 30A
RDS(on)（导通电阻）: 105mΩ
Qg（栅极电荷）: 45nC
封装形式: TO-220
工作温度范围: -55°C 至 150°C
技术: CoolMOS?（超结技术）
IPP60R105CFD7具有多项优异特性。首先，其采用的CoolMOS?超结技术显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。其次，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。同时，其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用。此外，该器件还内置快速恢复二极管（Fast Recovery Diode），有助于减少反向恢复损耗，提高系统效率。最后，IPP60R105CFD7的热阻较低，能够在高负载条件下保持稳定的工作温度，延长使用寿命。
在可靠性方面，该MOSFET通过了严格的工业标准测试，具备良好的抗静电能力（ESD）和过热保护性能。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于绿色环保的电子产品设计。该器件的稳定性和耐用性使其成为各类高要求电源系统的理想选择。
IPP60R105CFD7广泛应用于各类高效率电源系统中。常见的应用场景包括服务器电源、通信电源、工业电源、不间断电源（UPS）、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器等。由于其具备低导通电阻、低开关损耗和良好的热性能，该MOSFET非常适合用于PFC（功率因数校正）电路、DC-DC转换器、LLC谐振转换器以及同步整流电路等高频开关电源拓扑结构。此外，该器件也适用于需要高效能、高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和DC-AC逆变器。
IPP60R105CFD7S, IPP60R105CFD7AKSA1, IPA60R105CFD
