类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：15A（@Tc=100°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：250mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：34nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　引脚数：3

IPP50R250CE 的核心特性之一是其基于CoolMOS技术的高性能结构，这种结构显著降低了导通电阻和开关损耗，使得该器件非常适合用于高效率电源转换系统。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端工作条件下的可靠性。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合中高功率应用。其封装设计也便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类电子设备。
　　IPP50R250CE 还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体效率。这对于需要高频操作的应用（如谐振转换器或准谐振转换器）尤为重要。
　　此外，该MOSFET的栅极电荷较低（Qg=34nC），有助于减少驱动电路的负担，进一步提高效率并降低功耗。这种特性使其在高频率开关应用中表现优异，同时也有助于简化驱动电路设计。
　　由于其优良的热稳定性和过载能力，IPP50R250CE 在恶劣工作环境下仍能保持稳定的性能。这使其成为高可靠性应用的理想选择，例如服务器电源、不间断电源（UPS）和工业电源系统。

IPP50R250CE 主要应用于高效率开关电源（SMPS），包括适配器、充电器、AC-DC电源模块等。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频率转换器中表现出色，如反激式、正激式、LLC谐振转换器等拓扑结构。
　　在工业领域，该器件适用于变频器、伺服驱动器、电机控制和电源管理系统。其高可靠性和良好的热管理性能使其能够在严苛环境下稳定运行。
　　此外，IPP50R250CE 也广泛用于服务器和电信设备的电源模块中，以满足对高效率和高功率密度的需求。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也可用于DC-DC转换和能量调节电路。
　　该器件还可用于电池管理系统（BMS）和电动工具电源模块，提供高效的能量转换和可靠的开关控制。其优异的动态性能和稳定性也使其适用于高频开关应用，如无线充电和感应加热系统。

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　　 "IPP50R250C3",
　　 "IPD50R250CE",
　　 "SPW20N50C3",
　　 "IPP50R280CE",
　　 "STP15NK50Z"
　　]