IPP47N10S-33是Infineon(英飞凌)公司生产的MOSFET功率晶体管,属于OptiMOS系列。该器件采用TO-263封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效率和低损耗的场景。
这种MOSFET的特点是具备较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,并提高整体系统效率。其额定电压为100V,能够承受较高的漏源电压,同时提供出色的开关性能。
最大漏源电压(Vds):100V
连续漏极电流(Id):47A
导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ
栅极电荷(Qg):58nC
输入电容(Ciss):3900pF
总功耗(Ptot):188W
工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
IPP47N10S-33采用了先进的沟槽式技术制造,具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,使得在大电流应用中功耗显著降低。
2. 快速开关能力,减少了开关损耗,提高了高频应用下的效率。
3. 高雪崩击穿能量,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 优化的热性能设计,便于散热管理。
5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
此外,该器件还具有良好的电磁兼容性(EMC),适合对噪声敏感的应用环境。
IPP47N10S-33适用于多种电力电子领域,主要应用包括:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,在电动车或工业设备中用于电压调节。
3. 电机驱动控制,特别适用于高效节能型电机驱动系统。
4. 可再生能源应用,例如太阳能逆变器中的功率级电路。
5. 电动工具及家电产品中的功率管理模块。
由于其高效率和稳定性,这款MOSFET也常被用于要求苛刻的汽车电子环境中。
IPP40N10S, IPP50N10S