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IPP47N10S-33 发布时间 时间:2025/5/23 9:50:01 查看 阅读:18

IPP47N10S-33是Infineon(英飞凌)公司生产的MOSFET功率晶体管,属于OptiMOS系列。该器件采用TO-263封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效率和低损耗的场景。
  这种MOSFET的特点是具备较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,并提高整体系统效率。其额定电压为100V,能够承受较高的漏源电压,同时提供出色的开关性能。

参数

最大漏源电压(Vds):100V
  连续漏极电流(Id):47A
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ
  栅极电荷(Qg):58nC
  输入电容(Ciss):3900pF
  总功耗(Ptot):188W
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃

特性

IPP47N10S-33采用了先进的沟槽式技术制造,具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,使得在大电流应用中功耗显著降低。
  2. 快速开关能力,减少了开关损耗,提高了高频应用下的效率。
  3. 高雪崩击穿能量,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 优化的热性能设计,便于散热管理。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  此外,该器件还具有良好的电磁兼容性(EMC),适合对噪声敏感的应用环境。

应用

IPP47N10S-33适用于多种电力电子领域,主要应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,在电动车或工业设备中用于电压调节。
  3. 电机驱动控制,特别适用于高效节能型电机驱动系统。
  4. 可再生能源应用,例如太阳能逆变器中的功率级电路。
  5. 电动工具及家电产品中的功率管理模块。
  由于其高效率和稳定性,这款MOSFET也常被用于要求苛刻的汽车电子环境中。

替代型号

IPP40N10S, IPP50N10S

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IPP47N10S-33参数

  • 数据列表IPx47N10S-33
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SIPMOS®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C47A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 33A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs105nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 25V
  • 功率 - 最大175W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000225706