时间：2025/6/28 23:25:01
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SUD19N20-90-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关特性，适用于需要高效能和可靠性的电路设计。
其封装形式通常为表面贴装类型，具体封装可能因制造商而略有不同，但通常为 TO-252 或类似的小型封装，适合紧凑型设计。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：19A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：40nC
最大功耗：36W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SUD19N20-90-E3 的主要特性包括：
1. 高击穿电压：能够承受高达 200V 的漏源电压，适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻：仅 80mΩ 的典型导通电阻可显著降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷 (40nC) 和较低的输入电容使得该器件具备优异的开关速度，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：支持宽广的工作结温范围 (-55℃ 至 +175℃)，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 小型化设计：采用表面贴装封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型和高密度布局设计。
SUD19N20-90-E3 常用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流器使用。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机 (BLDC) 或步进电机的运行状态。
3. 电池管理系统 (BMS)：保护锂电池组免受过流或短路的影响。
4. 工业自动化设备：如固态继电器、负载切换和信号隔离等。
5. 消费类电子产品：笔记本电脑适配器、LED 驱动器和家用电器中的功率管理部分。
SUD19N20-90-E2, SUD19N20-90-D3, IRFZ44N, FQP19N20
