时间：2025/6/17 6:52:32
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IPP26CN10NG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装，专为高效能开关应用设计。其优化的导通电阻和栅极电荷使其非常适合于工业、汽车以及消费类电子中的 DC-DC 转换器、电机驱动及负载开关等场景。
该 MOSFET 的高雪崩能力和坚固的短路耐量保证了在严苛条件下的可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：26A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ
栅极电荷：49nC
总电容：1380pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IPP26CN10NG 提供低导通电阻和优化的开关性能，从而降低传导损耗和开关损耗。其具备以下特点：
1. 极低的 Rds(on)，可显著减少发热并提高系统效率。
2. 高效的热管理能力，适用于高温环境。
3. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车应用中的可靠性。
4. 紧凑的 TOLL 封装，有助于节省 PCB 布局空间。
5. 具备较高的 dv/dt 承受能力，防止误触发和寄生振荡。
6. 提供强大的短路保护功能，增强了系统稳定性。
IPP26CN10NG 广泛应用于需要高性能功率开关的应用中，具体电源（SMPS）和适配器。
2. 电动工具和家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关和继电器替代。
4. 新能源领域中的光伏逆变器和储能系统。
5. 汽车电子中的启动停止系统和电池管理系统（BMS）。
6. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换电路。
IPP26N10S4_L1
IPP26R050P4_S_L1
IRFH5301TRPBF
