时间：2025/4/30 14:20:46
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IPP220N25NFD是Infineon（英飞凌）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TRENCHSTOP?技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换应用，如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其封装形式为DPAK（TO-252），适合表面贴装工艺。这种MOSFET的最大工作电压为250V，能够满足高电压环境下的需求。
IPP220N25NFD的低导通电阻有助于减少传导损耗，从而提高效率。同时，其优异的开关性能使得它非常适合高频应用。此外，该器件还具备良好的热稳定性和鲁棒性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：22A
导通电阻（典型值）：9.5mΩ
栅极电荷（典型值）：36nC
输入电容：1780pF
总开关能量（典型值）：48μJ
功耗：40W
结温范围：-55℃至+175℃
IPP220N25NFD采用先进的TRENCHSTOP?技术，提供超低的导通电阻，从而显著降低功率损耗。
该器件具有快速开关能力，可以有效减少开关损耗并提升系统效率。
其坚固的设计确保了在高压和高电流条件下的可靠性。
由于采用了DPAK封装，IPP220N25NFD支持自动化的表面贴装生产，提高了装配效率。
此外，该器件符合RoHS标准，环保且易于集成到现代化电子设备中。
IPP220N25NFD广泛应用于各类功率电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）设计，例如PC电源适配器和工业电源。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 电动工具和其他便携式设备中的电机驱动电路。
4. 能量存储系统的充放电管理。
5. 工业自动化控制设备中的功率调节模块。
6. 高效LED驱动器设计。
由于其出色的电气特性和可靠性，IPP220N25NFD成为了许多高要求应用的理想选择。
IPP200N25N3_G, IRF250N
