时间：2025/7/9 13:07:40
阅读：12
IPP200N25N3G 是一款高压功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管（IGBT）。该器件由 Infineon Technologies 生产，广泛应用于高电压和大电流场景。这款 IGBT 采用了先进的沟槽栅技术，能够显著降低导通损耗和开关损耗，同时提供优异的热00N25N3G 的最大阻断电压为 1200V，连续漏极电流可达 200A，适用于工业驱动、可再生能源发电、不间断电源（UPS）以及焊接设备等高功率应用。
最大阻断电压：1200V
连续漏极电流：200A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（典型值）：490nC
反向恢复时间：160ns
工作结温范围：-40℃ 至 +150℃
IPP200N25N3G 提供了多种优越的特性以满足高功率应用场景的需求：
1. 高电压能力：支持高达 1200V 的阻断电压，确保在极端条件下稳定运行。
2. 低导通电阻：典型的导通电阻仅为 1.8mΩ，有助于减少导通损耗，提升效率。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和快速的反向恢复时间，优化开关效率。
4. 热稳定性：宽泛的工作结温范围 (-40℃ 至 +150℃) 支持高温环境下的可靠运行。
5. 耐热设计：采用 TO-247 封装形式，具有良好的散热性能。
IPP200N25N3G 广泛应用于以下领域：
1. 工业驱动系统：用于变频器和伺服驱动器中的功率转换。
2. 可再生能源发电：太阳能逆变器和风力发电机中的功率调节。
3. 不间断电源（UPS）：提供高效且可靠的电力备份解决方案。
4. 焊接设备：实现精确控制和高能量输出。
5. 电动汽车充电站：支持快速充电和高效率的能量传输。
IPP200N25K3G, IPP200N25N3L
