时间：2025/11/13 9:07:36
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K4S560832ETC75是一款由三星（Samsung）生产的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片。该器件属于高性能、低功耗的CMOS SDRAM系列，广泛应用于需要高速数据存取和较大存储容量的电子系统中。K4S560832ETC75采用4M x 16位x 4银行的组织结构，总容量为256兆位（即32MB），适用于多种嵌入式系统、网络设备、图形处理单元以及工业控制设备等场景。该芯片工作电压为3.3V，支持LVTTL接口电平，具备同步操作特性，所有输入输出信号均在时钟上升沿触发，确保了系统在高频运行下的稳定性与可靠性。其封装形式为54引脚TSOP-II（Thin Small Outline Package），具有良好的散热性能和紧凑的占板面积，适合高密度PCB布局设计。K4S560832ETC75支持自动刷新、自刷新模式和突发长度可编程等功能，能够有效降低功耗并提升系统能效，在待机或低负载状态下仍能保持数据完整性。此外，该芯片符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于对环境适应性要求较高的应用场景。作为一款成熟的SDRAM产品，K4S560832ETC75在市场上拥有广泛的兼容性和技术支持，是许多传统及现有设计中的主流选择之一。
型号：K4S560832ETC75
制造商：Samsung
存储类型：SDRAM
存储容量：256 Mbit (4M x 16-bit x 4 banks)
工作电压：3.3V ± 0.3V
接口标准：LVTTL
时钟频率：最高133 MHz (对应7.5 ns周期)
访问时间：7.5 ns
封装类型：54-pin TSOP-II
温度范围：-40°C 至 +85°C
刷新模式：自动刷新 / 自刷新
突发长度：可编程（1, 2, 4, 8）
数据宽度：16位
银行数量：4
K4S560832ETC75具备多项关键特性，使其成为众多嵌入式与通信系统中的理想存储解决方案。首先，该芯片采用四银行架构设计，每个银行独立控制，允许在不同银行之间交替进行读写操作，从而显著提高数据吞吐效率，减少等待时间，实现更高的并发访问性能。这种交错式操作机制特别适用于视频处理、图像缓存和网络数据包缓冲等对带宽敏感的应用场景。
其次，K4S560832ETC75支持同步控制逻辑，所有命令（如读、写、预充电、刷新等）均在时钟上升沿被采样执行，保证了与主控制器之间的精确时序配合，提升了系统的整体稳定性与抗干扰能力。其支持的最高时钟频率可达133MHz，满足PC133规范要求，能够在不牺牲可靠性的前提下提供足够的数据传输速率，适用于中高端嵌入式处理器平台。
再者，该器件集成了多种低功耗管理模式，包括自动刷新和自刷新功能。在自刷新模式下，芯片内部的计数器可自主完成刷新操作，无需外部控制器干预，大幅降低待机状态下的功耗，延长电池供电设备的续航时间。这对于便携式设备或远程监控系统尤为重要。
此外，K4S560832ETC75支持可编程突发长度（1、2、4、8），用户可根据实际应用需求灵活配置数据传输模式，优化系统性能与资源利用率。其LVTTL电平兼容性也确保了与多种数字逻辑电路的良好接口匹配，简化了系统设计复杂度。
最后，该芯片采用54引脚TSOP-II封装，具有较薄的外形和优良的热传导性能，适合在空间受限且散热要求较高的环境中使用。整体而言，K4S560832ETC75以其高集成度、稳定性和成熟的技术生态，成为工业控制、消费电子和网络设备中广泛应用的经典SDRAM型号之一。
K4S560832ETC75广泛应用于多种需要中等容量高速存储的电子系统中。典型应用包括嵌入式微处理器系统，例如基于ARM、PowerPC或MIPS架构的工控主板，用于程序代码存储与运行时数据缓存；在网络通信设备如路由器、交换机和DSL调制解调器中，该芯片常被用作数据包缓冲区，以应对突发流量并提升转发效率。
在多媒体与显示领域，K4S560832ETC75可用于图形控制器、LCD驱动模块或视频采集卡中，承担帧缓冲任务，支持静态图像或低分辨率动态画面的临时存储与快速读取。此外，在工业自动化控制系统、医疗仪器、POS终端及测试测量设备中，该芯片也为实时数据采集与处理提供了可靠的内存支持。
由于其符合工业级温度规范，K4S560832ETC75也能胜任严苛环境下的长期运行需求，例如户外通信基站、车载电子系统或工厂生产线上的控制单元。尽管随着技术发展，更高速的DDR SDRAM已逐步取代传统SDRAM在高性能领域的地位，但K4S560832ETC75因其成本优势、供货稳定性和成熟的配套设计，仍在大量存量项目与升级型产品中持续发挥作用。
K4S561632K-TC75
IS42S16400-7BLI
