时间：2025/5/10 14:58:53
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IPP200N15N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）公司生产的高压功率 MOSFET，属于 P沟道增强型器件。该型号广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和工业控制等领域，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性等优点，适合在高频条件下使用。
这款 MOSFET 的设计使其能够承受较高的电压，并且在开关过程中提供较低的功耗。其封装形式为 TO-247，便于散热处理，确保了在高温环境下的可靠性。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：65nC
总电容：3500pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPP200N15N3G 具有以下显著特性：
1. 高额定电压：能够支持高达 1500V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 大电流能力：连续漏极电流可达 200A，满足大功率应用需求。
3. 低导通电阻：仅为 1.8mΩ，减少了导通状态下的功率损耗。
4. 快速开关性能：优化的栅极电荷设计使得 IPP200N15N3G 在高频条件下表现优异，提高了整体效率。
5. 高温稳定性：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温度范围内稳定运行，适用于恶劣环境条件。
6. 强大的散热性能：采用 TO-247 封装，具有良好的热传导特性，有助于延长器件寿命。
IPP200N15N3G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能电力转换。
2. DC-DC 转换器：实现稳定的电压调节功能。
3. 电机驱动：适用于工业设备中的大功率电机控制。
4. 太阳能逆变器：提升能量转换效率。
5. 电动汽车及混合动力汽车 (EV/HEV)：在电池管理系统和电机驱动中发挥重要作用。
6. 工业自动化：如焊接设备和不间断电源系统 (UPS) 等。
IPP200N15S3G, IRGB200P150D1
