时间：2025/6/28 22:24:13
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IPP200N15N3是由Infineon（英飞凌）生产的一款高压功率MOSFET，属于P沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于各种工业和汽车领域的高压应用。它能够承受高达1500V的漏源电压，并提供最大200mA的连续漏极电流。该器件广泛应用于电源管理、电机控制和负载切换等场景。
漏源电压(Vds)：1500V
连续漏极电流(Id)：200mA
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：70Ω（典型值，在Vgs=-10V时）
总功耗(Ptot)：2W
结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252
IPP200N15N3采用了英飞凌成熟的CoolMOS技术，具备以下特点：
1. 高压性能：支持高达1500V的工作电压，非常适合高压开关电路。
2. 低导通电阻：在Vgs为-10V时，Rds(on)仅为70Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关能力：优化了开关时间，从而降低开关损耗并提高效率。
4. 强大的抗雪崩能力：能够在发生异常瞬态事件时提供额外保护。
5. 小型化封装：TO-252封装使其易于集成到紧凑型设计中。
6. 符合RoHS标准：环保且适合全球市场的应用需求。
IPP200N15N3适合多种高压应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的高侧开关。
2. DC/DC转换器和逆变器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路中的负载切换。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS)和照明控制。
6. 各种过流保护和短路保护电路的设计。
IPP250N15N3, IPP200N15N5
