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IPP100N06S3L-03 发布时间 时间:2025/7/1 23:13:14 查看 阅读:8

IPP100N06S3L-03 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沃型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 TRENCHSTOP 技术制造,具有较低的导通电阻和较高的效率,适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件的最大额定电压为 600V,连续漏极电流为 100A,封装形式为 TO-247。
  这款 MOSFET 的特点是其优化的开关性能和热性能,能够有效降低功耗并提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻:1.8mΩ(典型值,于 Vgs=15V 时)
  栅极电荷:98nC(典型值)
  开关频率:高达 100kHz
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-247

特性

IPP100N06S3L-03 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗,从而提高系统效率。
  2. 采用了先进的 TRENCHSTOP 技术,提供更优的开关性能和可靠性。
  3. 较高的雪崩击穿能力,增强了在异常条件下的鲁棒性。
  4. 良好的热性能,能够在高功率密度环境下保持稳定运行。
  5. 支持高频操作,适合现代高效能电力电子设计需求。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得 IPP100N06S3L-03 成为工业级应用的理想选择。

应用

IPP100N06S3L-03 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 逆变器和变频器
  3. 工业电机控制
  4. 太阳能光伏逆变器
  5. 不间断电源(UPS)系统
  6. 各种 DC/DC 和 AC/DC 转换器
  由于其出色的电气特性和热性能,该器件特别适合需要高效率和高可靠性的场景。

替代型号

IPP100N06S3L-04, IPP100N06S3L

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IPP100N06S3L-03参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压55 V
  • 闸/源击穿电压+/- 16 V
  • 漏极连续电流100 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)3 m Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220AB
  • 封装Tube
  • 下降时间77 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散300 W
  • 上升时间70 ns
  • 典型关闭延迟时间110 ns
  • 零件号别名IPP100N06S3L03XK