时间：2025/6/27 12:30:01
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IPP093N06N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，适用于多种开关和功率转换应用。其低导通电阻特性使其非常适合用于高效能电源管理领域。
这款功率 MOSFET 的额定电压为 60V，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频条件下提供出色的性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：93A
导通电阻：2.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：75nC（典型值）
输入电容：1420pF（典型值）
总热阻（结到壳）：2°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IPP093N06N3G 提供了非常低的导通电阻以减少传导损耗，同时具备快速开关能力以降低开关损耗。
该器件采用了先进的芯片制造技术，确保在高频和高电流负载下的稳定运行。
其封装设计有助于提高散热效率，并且兼容标准 PCB 安装工艺。
由于其出色的电气性能和可靠性，该功率 MOSFET 在各种工业、汽车及消费类电子应用中表现出色。
IPP093N06N3G 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及 UPS 系统等场景。
它适合用作同步整流管或功率级开关，在电池充电电路、太阳能逆变器和电动工具驱动中也有广泛应用。
此外，该器件也符合 AEC-Q101 标准，因此可以应用于汽车环境中的功率控制模块。
IPP090N06S3, IPP095N06N3G
