时间：2025/4/29 16:58:16
阅读：18
IPP086N10N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 TO-220-3，适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款 MOSFET 的额定电压为 100V，适合用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
该器件在工业、消费电子以及汽车领域中都有广泛应用，例如 DC-DC 转换器、开关电源、电机控制等场景。
最大漏源极电压：100V
最大连续漏电流：8.6A
导通电阻（典型值）：17mΩ
栅极电荷（典型值）：15nC
输入电容（典型值）：1490pF
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220-3
IPP086N10N3 G 具有以下显著特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，可减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 内置反向二极管，支持续流功能，特别适合于电机驱动和开关电源应用。
5. 工作温度范围宽广，能够适应恶劣的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
IPP086N10N3 G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. 各种 DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 电机驱动和控制，如家用电器中的小型电机控制。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理。
5. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率元件。
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
该器件凭借其出色的电气特性和可靠性，在这些应用中表现优异。
IPP086N10N3_LG, IRF840, STP80NF10
