时间：2025/8/9 11:50:38
阅读：25
2SK2524-01MR 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，广泛用于高频开关和功率放大电路中。该器件采用了先进的沟槽式MOS结构，具备优异的导通性能和高频响应能力，适用于如电源转换、电机控制和DC-DC转换器等应用场景。作为一款高频功率MOSFET，2SK2524-01MR在低导通电阻和高开关速度之间实现了良好的平衡。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SMP（表面贴装封装）
极性：N沟道
封装类型：TO-220SM(W)
安装类型：表面贴装
2SK2524-01MR 的主要特性之一是其极低的导通电阻，仅为4.5mΩ，这使得在大电流工作条件下，MOSFET的功耗和温升显著降低，提高了系统的效率和可靠性。该器件采用了高密度单元设计和沟槽式工艺，使得其在高频开关应用中表现出色。
此外，2SK2524-01MR 采用了表面贴装封装（TO-220SM(W)），具有良好的热管理和散热性能，适用于紧凑型高功率密度的电路设计。其最大漏源电压为60V，最大连续漏极电流为50A，适用于多种中高功率的电源转换和控制电路。
2SK2524-01MR 主要用于需要高电流、低导通电阻和高开关速度的功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）中的功率控制部分。由于其优异的导通性能和高频响应能力，该器件也广泛应用于电源管理、工业自动化和汽车电子系统中。
SiR178DP, FDS6680, IPD90N06S4-03
