时间：2025/5/7 18:25:38
阅读：10
IPP057N08N3 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于高效率的功率转换应用。其额定电压为 80V，典型应用于工业、消费电子以及通信设备中的开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。
该器件采用了先进的封装技术，能够有效降低寄生电感，同时提高散热性能。此外，其卓越的雪崩能力和抗静电能力也确保了 IPP057N08N3 在严苛环境下的可靠性。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：57A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：46nC（典型值）
总功耗：209W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
IPP057N08N3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，使其在高电流应用中表现出优异的效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 内置反向恢复二极管，进一步优化开关性能。
4. 高度可靠的雪崩能力，可承受短时间内的过压或过流情况。
5. 工作结温高达 175°C，适应更广泛的环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
这些特点使得 IPP057N08N3 成为高性能功率转换的理想选择。
IPP057N08N3 的典型应用领域包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器，如降压、升压及正负转换拓扑。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 光伏逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
由于其强大的电流承载能力和高效的开关性能，IPP057N08N3 可以胜任需要大功率处理的各种场景。
IPP050N08N3, IPP067N08N3
