IPP048N06是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的技术制造,旨在提供卓越的开关性能和低导通电阻特性,适用于各种高效率电源转换应用。其额定电压为60V,适合中低压应用场合,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
IPP048N06的主要特点包括低导通电阻、快速开关速度以及出色的抗雪崩能力。这些特性使得它非常适合于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率管理的场景。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:52A
导通电阻(Rds(on)):4.8mΩ
栅极电荷:19nC
开关时间:ton=17ns, toff=13ns
工作结温范围:-55℃至175℃
IPP048N06具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(4.8mΩ),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,能够适应高频应用需求。
3. 优秀的热性能,支持长时间稳定运行。
4. 强大的抗雪崩能力和鲁棒性设计,确保在异常条件下也能正常工作。
5. 符合RoHS标准,环境友好且满足国际法规要求。
IPP048N06广泛应用于多个领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器,尤其是降压型拓扑结构。
3. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统(BMS)和其他便携式电子设备中的功率路径管理。
IPP050N06S, IPP055N06, IRF540N