时间：2025/5/22 23:07:06
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IPP045N10N3 G 是英飞凌（Infineon）推出的增强型 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263-3 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效能和高可靠性的领域。
这款 MOSFET 的设计旨在提供高效的功率转换，同时保持较低的功耗和良好的散热特性，适合工业、消费类以及汽车电子应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（典型值）：95mΩ
栅极电荷：15nC
输入电容：780pF
反向恢复时间：10ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-263-3
IPP045N10N3 G 的主要特点是其低导通电阻和高效率，能够显著降低传导损耗。此外，它还具有以下优势：
1. 高速开关性能，减少了开关损耗。
2. 优异的热稳定性，确保在高温环境下也能正常工作。
3. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
4. 内置保护机制，可防止过流或短路情况下的损坏。
这些特性使得 IPP045N10N3 G 成为许多高性能功率应用的理想选择。
该芯片适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）。
2. DC-DC 转换器。
3. 电池管理系统中的充放电控制。
4. 电机驱动电路。
5. 各类工业设备中的功率控制模块。
其广泛的适应性得益于其稳健的设计和卓越的电气性能。
IPP045N10N3L G, IRFZ44N, FDP047N10A
