时间：2025/5/23 5:46:07
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SE5VRBN102 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下提供高效的功率转换。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：15nC
总功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃至150℃
SE5VRBN102 具有出色的电气性能，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频应用，减少电磁干扰(EMI)。
3. 内置过温保护功能，增强系统可靠性。
4. 小型封装设计，适合高密度电路板布局。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 高度稳定的工作状态，适用于各种恶劣环境。
SE5VRBN102 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，在汽车电子和工业控制中有广泛应用。
3. 电机驱动，例如步进电机和无刷直流电机的驱动电路。
4. LED照明驱动电路，提供高效稳定的电流输出。
5. 各类消费电子产品中的功率管理模块。
IRF540N
FDP5570
STP16NF06L
