时间：2025/5/12 12:10:56
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IPP041N04N G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等应用中。其低导通电阻和高效率性能使其成为众多功率管理场景的理想选择。
该器件的工作电压为 40V，适用于中低压应用环境。由于其出色的开关特性和热性能，它在紧凑型设计中表现出色。
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.6A
导通电阻(Rds(on))：70mΩ @ Vgs=10V
总功耗(Ptot)：1.15W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
IPP041N04N G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
2. 快速开关速度和较低的输入电容使得 IPP041N04N G 在高频应用中表现优异。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 采用无铅 (Pb-free) 封装，符合 RoHS 标准，满足环保要求。
5. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
6. 小型化封装节省 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
这些特性使 IPP041N04N G 成为各种高效能功率转换和开关应用的理想选择。
IPP041N04N G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动应用中的功率控制。
4. 各类负载切换场景，例如电池管理系统或汽车电子。
5. LED 驱动器和逆变器中的功率调节。
6. 通信设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
其高效率和可靠性使得该器件能够在多种复杂环境中稳定运行。
IPP042N04N G, IPP044N04N G, IPP046N04N G
