时间：2025/4/30 18:34:45
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DMN2055UWQ 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道增强型 MOSFET，采用超小型 WLCSP-4 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于空间受限的应用场景，如便携式电子设备、负载开关、电源管理模块等。其工作电压范围为 20V，能够满足多种低压应用的需求。
由于其封装体积小且性能优越，DMN2055UWQ 在现代电子设计中被广泛采用以实现高效能和紧凑型解决方案。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
总功耗：170mW
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：WLCSP-4
DMN2055UWQ 的主要特性包括以下几点：
1. 超低导通电阻确保了在高频开关操作中的低功耗表现。
2. 极其紧凑的封装形式使其成为便携式设备的理想选择。
3. 高开关速度使得它适用于高频 DC-DC 转换器和负载开关。
4. 内部 ESD 保护电路提高了器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 可靠性高，适合长时间运行的工业级应用。
DMN2055UWQ 常用于以下应用场景：
1. 便携式消费类电子产品中的负载开关。
2. 手机和平板电脑等移动设备的电源管理。
3. 电池供电设备中的功率转换。
4. USB 端口保护和切换。
5. 各种低电压、大电流的 DC-DC 转换器。
6. 多通道电源分配系统中的关键组件。
7. 需要小尺寸、高性能的嵌入式控制系统。
DMN2056UWQ
DMN2057UWQ
BSS138
AO3400
