类型：N沟道
　　最大漏极电流：105A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.04Ω
　　栅极电压范围：-20V至+20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散：300W

IPP040N60N具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）为0.04Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达600V，适合用于高压电路设计。此外，其最大漏极电流为105A，可在高电流环境下稳定运行。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的热管理性能，有助于散热并提升器件的可靠性。其功率耗散能力为300W，适用于高功率密度设计。栅极电压范围为-20V至+20V，允许灵活的驱动设计，同时具备较高的抗干扰能力。
　　在工作温度方面，IPP040N60N能够在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定运行，适用于各种严苛环境条件。其先进的制造工艺确保了器件的高可靠性和长寿命，广泛应用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器等高功率领域。

IPP040N60N主要用于高功率开关电路，适用于多种电力电子应用。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、变频器、UPS（不间断电源）以及太阳能逆变器等。在这些应用中，该MOSFET能够高效地处理高电压和大电流，实现高效的能量转换。
　　由于其优异的导通特性和高耐压能力，IPP040N60N也常用于工业自动化设备中的功率控制模块。在电机控制中，该器件可用于PWM（脉宽调制）控制，提供精确的转速和扭矩调节。在电动汽车和充电桩系统中，该MOSFET可用于电池管理系统和功率转换模块。
　　此外，IPP040N60N还适用于高频电源变换器和功率因数校正（PFC）电路，能够有效提升系统效率并降低能耗。其良好的热性能和高可靠性使其成为工业和高要求应用中的理想选择。

IPP055N60N, IPP035N60N