时间：2025/7/22 9:34:17
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STP5NK80是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等领域。该器件采用先进的技术，具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合在高功率密度和高效率的应用场景中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
漏极电流（Id）：5A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.5Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
STP5NK80 MOSFET采用了先进的高压工艺技术，具备出色的耐压能力和低导通损耗。其高耐压特性使其适用于高输入电压的电源系统，如AC-DC转换器和工业电源。导通电阻较低，有助于降低功率损耗，提高系统效率，减少散热需求。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。
该MOSFET的栅极阈值电压在2V至4V之间，确保了在常见的控制电路中可以被有效地驱动。封装形式包括TO-220和D2PAK，便于散热和安装，适用于不同的PCB布局需求。STP5NK80的结构设计也使其具备较强的抗冲击和抗干扰能力，能够在复杂的电气环境中稳定运行。
STP5NK80广泛应用于多种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和照明系统。其高耐压和低导通电阻的特性使其特别适合用于高输入电压的场合，例如在220V交流输入的电源设计中。此外，它还可用于工业自动化设备中的电机控制模块和电源管理系统。
STP4NK80Z, STP6NK80Z, IRF840, FQA7N80
