STP5NK80是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等领域。该器件采用先进的技术,具备高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合在高功率密度和高效率的应用场景中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
漏极电流(Id):5A(25°C)
导通电阻(Rds(on)):2.5Ω(最大)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
最大功耗(Ptot):60W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
STP5NK80 MOSFET采用了先进的高压工艺技术,具备出色的耐压能力和低导通损耗。其高耐压特性使其适用于高输入电压的电源系统,如AC-DC转换器和工业电源。导通电阻较低,有助于降低功率损耗,提高系统效率,减少散热需求。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在较高温度下稳定工作,提高了系统的可靠性和寿命。
该MOSFET的栅极阈值电压在2V至4V之间,确保了在常见的控制电路中可以被有效地驱动。封装形式包括TO-220和D2PAK,便于散热和安装,适用于不同的PCB布局需求。STP5NK80的结构设计也使其具备较强的抗冲击和抗干扰能力,能够在复杂的电气环境中稳定运行。
STP5NK80广泛应用于多种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和照明系统。其高耐压和低导通电阻的特性使其特别适合用于高输入电压的场合,例如在220V交流输入的电源设计中。此外,它还可用于工业自动化设备中的电机控制模块和电源管理系统。
STP4NK80Z, STP6NK80Z, IRF840, FQA7N80