IPP023N10N5 时间：2025/5/10 11:47:12 阅读：9

IPP023N10N5是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的TRENCHSTOP?技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。
　　IPP023N10N5的设计目标是提供出色的效率和热性能表现，同时兼顾成本效益。其额定电压为100V，能够承受较高的瞬态电压，确保在各种复杂环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：23A
　　导通电阻（典型值）：4.7mΩ
　　栅极电荷：38nC
　　输入电容：1650pF
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

特性

IPP023N10N5采用英飞凌的TRENCHSTOP? IGBT技术制造，具备以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，能够有效减少开关损耗。
　　3. 优化的栅极电荷设计，简化了驱动电路设计并提高了整体可靠性。
　　4. 广泛的工作温度范围，使其适用于工业、汽车和其他高温环境中的应用。
　　5. 强大的雪崩能力和短路耐受能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　6. 兼容标准的TO-247封装，便于集成到现有设计中。

应用

IPP023N10N5广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，具体包括：
　　1. 开关电源（SMPS），如服务器电源和通信电源。
　　2. DC-DC转换器，用于电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
　　3. 电机驱动器，例如家用电器、工业自动化设备中的无刷直流电机控制。
　　4. 新能源逆变器，如太阳能逆变器和风力发电系统。
　　5. 各种工业电子负载和测试设备。