时间：2025/6/16 13:41:20
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GA1206A3R9CXABP31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于沟道型器件，广泛应用于功率转换和电源管理领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。
型号：GA1206A3R9CXABP31G
类型：N-Channel MOSFET
工作电压(Vds)：120V
连续漏极电流(Id)：6.5A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：45nC
功耗(Ptot)：17W
封装形式：TO-220FP
GA1206A3R9CXABP31G 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻：其 Rds(on) 只有 3.5mΩ，能够显著降低传导损耗。
2. 高开关频率：由于具备较低的栅极电荷 (Qg)，可以支持高频应用。
3. 热性能优越：采用 TO-220FP 封装，提供良好的散热能力，确保在高负载条件下的稳定性。
4. 强大的电流承载能力：持续漏极电流高达 6.5A，适用于大功率电路。
5. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，满足工业级应用需求。
6. 宽范围的工作电压：额定电压为 120V，适合多种不同的电源环境。
该器件通常用于以下场景：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动应用中的功率级控制。
3. 电池管理系统(BMS) 中的充放电保护。
4. LED 驱动器中作为高效的开关元件。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
GA1206A3R9CXAPB31G
IRFZ44N
FQP18N12
STP12NM60F
