时间：2025/7/16 12:41:13
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IPI80N04S2-0H4 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-263-3（D2PAK），便于表面贴装和高效散热。
该型号主要面向需要高效能、低损耗的电力电子设计，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及消费类电子设备中的电源管理部分。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷（Qg）：47nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263-3（D2PAK）
IPI80N04S2-0H4 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在满负载条件下能够显著降低功耗。
2. 高效率设计，适用于高频开关应用。
3. 较小的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗。
4. 优秀的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 强大的浪涌电流能力，提升系统的可靠性。
这些特点使得该器件非常适合要求高效率、高可靠性的电力电子系统。
IPI80N04S2-0H4 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换。
2. 工业电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 电动车及混合动力汽车中的电池管理系统。
5. 各种消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
其出色的电气特性和耐用性使其成为现代电力电子应用的理想选择。
IPI90N04S2-0H4
IPI75N04S2-0H4
