时间：2025/4/28 20:08:21
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IPG16N10S4-61是一款基于沟槽栅场效应晶体管技术的N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点，适合用于各类高效能转换和功率管理应用中。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
该芯片采用了先进的制造工艺，能够在较高的电流密度下工作，同时具备出色的热性能和电气特性。其封装形式通常为表面贴装类型，方便自动化生产和安装。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，满足现代电力电子设备对高频的需求。
3. 高雪崩能力，增强了在异常条件下的耐用性。
4. 热稳定性强，即使在极端温度环境下也能保持稳定性能。
5. 符合RoHS标准，绿色环保设计，确保产品符合国际环保法规要求。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间，便于模块化集成和紧凑型电路设计。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 降压或升压型DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动应用中的H桥或半桥驱动电路。
4. 各种负载开关场合，如便携式电子产品中的电池保护和电源切换。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换系统中的功率级组件。
6. LED照明驱动器中的关键功率处理单元。
IPD16N10S4-61
IPP16N10S4-61
