时间：2025/7/23 19:33:07
阅读：8
FMOSBSS138AK-H 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高频率、高速开关应用设计，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理和 DC-DC 转换器等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：0.3A（@25°C）
导通电阻(Rds(on))：3.5Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
FMOSBSS138AK-H 具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其高速开关特性使其非常适合用于高频开关电路，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制电路。
此外，该 MOSFET 采用先进的硅栅极技术，提供了良好的栅极电荷控制，从而减少了开关损耗并提高了响应速度。该器件还具有良好的热稳定性，能够在较高温度下可靠运行，增强了其在严苛环境下的适用性。
由于其封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。同时，其引脚排列标准化，便于替换和升级，提高了设计灵活性。该器件还具有较强的抗静电能力，增强了在实际应用中的可靠性。
该器件广泛应用于便携式电子设备、笔记本电脑电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机控制电路以及各类低电压功率开关电路中。由于其高速开关性能，也常用于需要快速响应的数字控制电源系统和 LED 照明调光电路。
2N7002K, BSS138LT1, BSS138W, FDS6680, AO3400
