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IPF10N03LA 发布时间 时间:2025/12/23 13:37:34 查看 阅读:11

IPF10N03LA 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沱道 场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够在较低的栅极驱动电压下实现高效导通。它主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及电池管理系统等场景。
  该 MOSFET 的最大特点是其低导通电阻和快速开关性能,有助于提高系统的整体效率并降低功耗。此外,其封装形式为符合行业标准的 TO-252 (DPAK),便于安装和散热。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:10A
  导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极阈值电压:1.4V~2.5V
  最大功耗:27W
  工作结温范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IPF10N03LA 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,适用于大功率应用。
  3. 快速开关速度,支持高频工作场景。
  4. 较低的栅极驱动电压要求(逻辑电平驱动),简化了驱动电路设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 良好的热性能,便于在高功率密度环境下使用。
  这些特点使得 IPF10N03LA 成为众多中低压功率转换应用的理想选择。

应用

IPF10N03LA 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等。
  3. 电池管理与保护系统,例如电动车、不间断电源(UPS)等。
  4. 照明系统中的 LED 驱动电路。
  5. 各类工业自动化设备中的功率切换和负载控制。
  由于其高效率和可靠性能,该 MOSFET 特别适合需要频繁开关和高电流处理的应用环境。

替代型号

IPB170N03L, IXTT39N03L

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IPF10N03LA参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)25 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10.4 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1358 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)52W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-23
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63