IPF060N03LG 时间：2025/6/24 15:54:27 阅读：10

IPF060N03LG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沁型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点。它适用于需要高效能和低损耗的电源转换应用，例如开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
　　IPF060N03LG 的封装形式为 TO-Leadless（TOLL），这有助于提高热性能和减小寄生电感，从而优化高频开关表现。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：67A
　　导通电阻（典型值）：1.2mΩ
　　栅极电荷（典型值）：49nC
　　反向恢复时间：35ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IPF060N03LG 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 较低的栅极电荷和输出电荷，使得开关损耗得以减少。
　　3. 采用 TOLL 封装，提供卓越的散热性能和电气连接可靠性。
　　4. 高雪崩能力，确保在异常条件下具备更强的鲁棒性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
　　6. 支持高密度 PCB 设计，节省空间并增强设计灵活性。
　　这些特点使其成为高性能功率转换应用的理想选择，尤其是在注重效率和可靠性的场景中。

应用

IPF060N03LG 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC 转换器
　　3. 工业电机驱动
　　4. 电池管理系统（BMS）
　　5. 电信基础设施
　　6. 新能源汽车相关设备
　　由于其出色的效率和耐热性能，这款 MOSFET 在要求高功率密度和高效率的场合中表现出色。