IPF04N03LBG 时间：2025/7/12 15:52:40 阅读：12

IPF04N03LBG 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沭道场效应晶体管（MOSFET），采用微型 PQFN2.75x2.75-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性。这种 MOSFET 适合应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域，尤其适用于需要高效能和小尺寸解决方案的设计场景。
　　该器件在设计上优化了开关性能和热管理能力，使其成为电池管理系统、负载开关、DC-DC 转换器以及多相电源应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：4.1A
　　导通电阻（典型值）：6.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：3.9nC
　　总电容（输入电容）：280pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：PQFN2.75x2.75-8

特性

IPF04N03LBG 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
　　3. 微型 PQFN 封装，节省 PCB 空间。
　　4. 高温适应性，能够在极端条件下可靠运行。
　　5. 支持多种保护机制，如过流保护和短路保护。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品中的 DC-DC 转换器和开关电源。
　　2. 电池管理系统（BMS），用于锂电池保护电路。
　　3. 负载开关和电机驱动电路。
　　4. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制。
　　5. 汽车电子系统，例如车载充电器和逆变器。
　　其高性能和小尺寸特别适合便携式设备和空间受限的应用场景。