时间：2025/5/13 8:49:39
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IPDH4N03LAG 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。这款器件主要针对高效率和高密度应用而设计，具有低导通电阻和优异的开关性能，适合于服务器、电信整流器、DC-DC 转换器等工业及汽车级应用。
该器件结合了先进工艺技术和封装优化，能够在高频开关条件下保持高效能表现，同时支持更高的电流负载能力。
型号：IPDH4N03LAG
品牌：Infineon
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：1.6mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
IDS（连续漏极电流）：478A
VGS（栅源极电压）：±20V
功耗：255W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TOLL
IPDH4N03LAG 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提升整体系统效率。
2. 支持高达 478A 的连续漏极电流，能够满足大电流应用场景的需求。
3. 高频开关性能，适合用于高频 DC-DC 转换器以及 PFC（功率因数校正）电路。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 具备出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
6. TOLL 封装形式，简化 PCB 设计并提供更好的散热管理。
7. 提供增强的电气特性和抗干扰能力，适用于严苛的工作环境。
IPDH4N03LAG 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源中的 DC-DC 转换器，特别是需要高效率和高功率密度的应用场景。
2. 通信设备中的整流器和逆变器模块。
3. 电动汽车（EV）充电基础设施，例如直流快速充电桩。
4. 电机驱动控制电路，特别是在高性能工业自动化环境中。
5. 数据中心和服务器电源供应单元（PSU）。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力转换设备。
IPD029N03L_G_T1, IPD074N03L_T1
